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FL MEM PLUG/MRM
2891275
PHOENIX_CONTACT
1
Memória de configuração
E / S
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Código do pedido | 2891275 |
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Quantidade de embalagem (VPE) | 1 Unid |
Página de catálogo | Página 423 (C-6-2017) |
GTIN | 4046356165433 |
Peso por unidade (exclusive embalagem) | 19,000 GRM |
Número do imposto alfandegário | 84717098 |
País de origem | DE (Alemanha) |
Grau de proteção | IP20 |
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Temperatura ambiente (funcionamento) | 0 °C ... 55 °C (sem condensação) |
Temperatura ambiente (armazenamento/transporte) | -20 °C ... 70 °C |
Umidade do ar admissível (funcionamento) | 10 % ... 95 % (sem condensação) |
Umidade do ar admissível (armazenamento/transporte) | 10 % ... 95 % (sem condensação) |
Funcionalidade básica | Memória de configuração e gerenciador para o protocolo de redundância de mídias (MRP) |
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Desenvolvido conforme norma | IEC 61000-6.2 |
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Normas de teste | IEC 61000-4-2 (ESD) |
Resultado de teste | Critério B |
Normas de teste | IEC 61000-4-3 (resistência à interferência da linha) |
Resultado de teste | Critério A |
Normas de teste | IEC 61000-4-4 (burst) |
Resultado de teste | Critério A |
Normas de teste | IEC 61000-4-5 (surto de tensão) |
Resultado de teste | Critério A |
Normas de teste | IEC 61000-4-6 (resistência à interferência da linha) |
Resultado de teste | Critério A |
Normas de teste | IEC 61000-4-8 (resistência à interferência frente aos campos magnéticos) |
Resultado de teste | Critério A |
Normas de teste | EN 55022 (transmissão de interferência) |
Resultado de teste | Critério A |
Compatibilidade eletromagnética | Conformidade com diretriz EMC 2004/108/EG |
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Radiação de interferência | EN 61000-6-3/-4 |
Resistência contra interferência | EN 61000-6-2:2005 |
China RoHS | Período para uso previsto: ilimitado = EFUP-e |
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Sem substâncias perigosas acima dos valores limite |
Título: | Tamanho: | Tipo: |
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PDF CATALOG PHOENIX AUTOMATION EN.pdf | 35 Mbytes | |
PHOENIX CONTACT-2891275-FL MEM PLUG/MRM | 96 Kbytes |
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