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PM-R65W-P PANASONIC u-tipo de forma, R-forma, 6mm, PNP, conector, dois furos de montagem
PM-R65W-P
PANASONIC
u-tipo de forma, R-forma, 6mm, PNP, conector, dois furos de montagem
Miniature Photoelectric Sensors - PANASONIC > PM thru-beam microphotosensors - PANASONIC
* Produto novo em sua embalagem original com todas as garantias e certificações de PANASONIC
Mais informação
▲| Número Do Produto | PM-R65W-P |
| Número Da Peça | PM-R65W-P |
| Produto | Amplificador Construído-em / em forma de U Micro Sensor Fotoelétrico |
| Detalhes | Compacto / Conector tipo built-in [R] |
| Nome do produto | Amplificador Construído-em / em forma de U Micro Sensor Fotoelétrico [Compacto / Conector tipo built-in] PM-65 |
| Item | Especificações | ||
|---|---|---|---|
| Número Do Produto | PM-R65W-P | ||
| Número Da Peça | PM-R65W-P | ||
| Marcação CE directivas | Estipulações da Directiva EMC, RoHS Directiva | ||
| Faixa de detecção | 6 mm0.236 in(fixo) | ||
| Mínimo de detecção de objeto | 0.8 × 1,2 mm0.031 × 0.047 emobjeto opaco | ||
| Histerese | 0,05 mm0.002 emou menos | ||
| Repetibilidade | 0,01 mm0.0004 emou menos | ||
| Tensão de alimentação | 5 a 24 V DC ±10 % Ripple P-P de 10% ou menos | ||
| Consumo de corrente | 15 mA ou menos | ||
| Saída | PNP abrir-coletor do transistor ・Máxima da fonte de corrente: 50 mA ・Tensão aplicada: 30 V DC ou menos (entre a saída e a + V) ・Residual tensão: 2 V ou menos (a 50 mA de corrente de origem), 1 V ou menos (com 16 mA fonte de corrente) | ||
| Saída:operação de Saída | Incorporado com 2 saídas: Light-ON / Dark-ON | ||
| Saída:proteção contra Curto-circuito | Incorporados | ||
| Tempo de resposta | Sob a luz recebida condição: 20 µs ou menos Sob a luz interrompida condição: 80 µs ou menos (Máximo de freqüência de resposta: de 3 kHz)(Nota) (Nota) A freqüência de resposta é o valor quando o disco, dado na figura abaixo, é rodado.
| ||
| Indicador de operação | LED laranja (acende-se sob a luz recebida condição) | ||
| Grau de poluição | Três | ||
| Protecção | IP40 (IEC) | ||
| Temperatura ambiente | -25 a +55 ℃-13 a +131 ℉(Sem condensação ou formação de gelo permitido), de Armazenamento: -30 a +80 ℃-22 a +176 ºf | ||
| Umidade ambiente | 5 a 85 % de UR, de Armazenamento: 5 a 95 % RH | ||
| Ambiente de iluminância | Luz fluorescente: 1,000 ℓx na recepção de luz rosto | ||
| Tensão withstandability | 1000 V AC para um min. entre todos os terminais de alimentação conectados juntos e gabinete | ||
| Resistência de isolamento | 20 MΩ ou mais, com 250 V DC megômetro entre todos os terminais de alimentação conectados juntos e gabinete | ||
| Resistência à vibração | 10 a 2.000 Hz de frequência, de 1,5 mm,0.059 emduplo amplitude (máximo de aceleração 196 m/s2) em X, Y e Z direções de duas horas cada | ||
| Resistência a choques | 15.000 m/sDoisaceleração (1.500 G aprox.) em X, Y e Z direções três vezes cada | ||
| Emitindo-se a elemento | DIODO emissor de luz infravermelho (Pico de emissão de comprimento de onda: 855 nm0.034 mil, não-modulada) | ||
| Material | Gabinete: PBT Seção Display: Policarbonato | ||
| Comprimento do cabo | Extensão total 100 m328.084 pésé possível com 0,3 mmDois, ou mais, de cabo. (Nota) Se o cabo é estendido para 20 m65.617 pésou mais, confirmar que a tensão de alimentação no final do cabo conectado ao sensor é de 4,5 V ou superior. | ||
| Peso | Peso líquido: 3 g aprox. Peso bruto: 3 g aprox. | ||
| Comente | ・Onde condições de medição não tiver sido especificado com precisão, as condições utilizadas foram a uma temperatura ambiente de +23 ℃+De 73,4 ℉. ・Montagem compatível com os nossos modelos convencionais [PM-R54P] |
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