Стандарты и предписания
EN 61000-6-2
EN 61000-6-4
EN 61131-2
Гальваническое разделение
да, через оптрон
Температура окружающей средыТемпература окружающей среды, эксплуатация
0 - +55 °C
Температура окружающей средыХранение, транспорт [ϑ]
-25 - +85 °C
Относительная влажность воздухаотносительная влажность
5 - 95 % (в помещении), уровень RH-2, без компенсации (при 45°C во время хранения)
Механические внешние условияКласс защиты
IP20
Механические внешние условияВредный газ
SO2: 10 (относит. влажность < 75 %, без конденсации)
H2S: 1,0 (относит. влажность < 75%, без конденсации) ppm
Вибростойкость, условия применения
согласно IEC/EN 60068-2-6
Удароустойчивость
согл. IEC 60068-2-27 g
Длительная ударопрочность (IEC/EN 60068-2-29)
согласно IEC 60068-2-29
Опрокидывание и переворачивание
согласно IEC 60068-2-31, свободное падение в соответствии с IEC 60068-2-32
Электромагнитная совместимость (ЭМС)ESD [Воздушный / контактный разряд]
EN 61000-4-2 кВ
Электромагнитная совместимость (ЭМС)Электромагнитные поля [(0,08…1) / (1,4…2) / (2…2,7) ГГц ]
EN 61100-4-2 V/m
Электромагнитная совместимость (ЭМС)Импульсное напряжение
EN 61100-4-4
Электромагнитная совместимость (ЭМС)Скачок напряжения
EN 61100-4-5
Электромагнитная совместимость (ЭМС)Впуск
EN 61100-4-6 В
Электромагнитная совместимость (ЭМС)Излучаемые радиопомехи (излучаемые, высокочастотные) [(30...230 мГц) / (230...1000 мГц)]
EN 55016-2-3 dB
Электромагнитная совместимость (ЭМС)Варианты напряжения/просадки напряжения
EN 61131-2
Электромагнитная совместимость (ЭМС)Типовые испытания (Type Test)
согласно EN 61131-2
Прочие технические характеристики (каталог для перелистывания)
Аналоговые элементы ввода
Номинальное напряжение через клемму питания [UL]
24 В пост. тока
Номинальный ток потребления из клеммы питания [IL]
≦ 50 мА
Номинальный ток потребления из модульной шины [IMB]
≦ 40 мА
Погрешность смещения нуля
≦ 0.1 %
Предел основной погрешности при 23 °C
< 0.2 %
Температурный коэффициент
150 миллионных долей/°C от конечного значения
Представление измеренных значений
16-битное целое число со знаком
12 бит полностью по левому краю
Номинальное напряжение через клемму питания [UL]
24 В пост. тока
Номинальный ток потребления из клеммы питания [IL]
≦ 50 мА
Номинальный ток потребления из модульной шины [IMB]
≦ 40 мА
Шунтирующий резисторОмическая нагрузка
< 450 Ω
Шунтирующий резисториндуктивная нагрузка
< 0,001 H
Погрешность смещения нуля
≦ 0.1 %
Предел основной погрешности при 23 °C
< 0.2 %
Температурный коэффициент
150 миллионных долей/°C от конечного значения
Время восстановленияОмическая нагрузка
2 мс
Время восстановленияиндуктивная нагрузка
2 мс
Время восстановленияёмкостная нагрузка
0.5 мс
Представление измеренных значений
16-битное целое число со знаком
12 бит полностью по левому краю
Номинальное напряжение через клемму питания [UL]
24 В пост. тока
Номинальный ток потребления из клеммы питания (при токе нагрузки = 0 mA) [IL]
≦ 50 мА
Номинальный ток потребления из модульной шины [IMB]
≦ 40 мА
Потеря мощности [P]
тип. 1 W
Омическая нагрузка
< 450 Ω
индуктивная нагрузка
< 0,001 H
Номинальное напряжение через клемму питания [UL]
24 В пост. тока
Номинальный ток потребления из клеммы питания [IL]
≦ 50 мА
Номинальный ток потребления из модульной шины [IMB]
≦ 40 мА
Номинальное напряжение через клемму питания [UL]
24 В пост. тока
Номинальный ток потребления из клеммы питания [IL]
≦ 50 мА
Номинальный ток потребления из модульной шины [IMB]
≦ 40 мА
Потеря мощности [P]
тип. 1 W
Номинальное напряжение через клемму питания [UL]
24 В пост. тока
Номинальный ток потребления из клеммы питания [IL]
≦ 50 мА
Номинальный ток потребления из модульной шины [IMB]
≦ 40 мА
Номинальное напряжение через клемму питания [UL]
24 В пост. тока
Номинальный ток потребления из клеммы питания [IL]
≦ 50 мА
Номинальный ток потребления из модульной шины [IMB]
≦ 40 мА
Температурный коэффициент
150 миллионных долей/°C от конечного значения
Количество битов параметров
3 (на канал)
Номинальное напряжение через клемму питания [UL]
24 В пост. тока
Номинальный ток потребления из клеммы питания [IL]
≦ 50 мА
Номинальный ток потребления из модульной шины [IMB]
≦ 40 мА
Потеря мощности [P]
тип. 1 W
Количество байтов параметров
3 (на канал)