EMG 22-DIO 4E-1N5408 2952790 PHOENIX CONTACT Dioden-Modul, mit 4 Dioden, einzeln beschaltbar, Diodentyp 1N 5.. Vergrößern
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EMG 22-DIO 4E-1N5408 2952790 PHOENIX CONTACT Dioden-Modul, mit 4 Dioden, einzeln beschaltbar, Diodentyp 1N 5..

EMG 22-DIO 4E-1N5408

2952790

PHOENIX_CONTACT

10

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Dioden-Modul, mit 4 Dioden, einzeln beschaltbar, Diodentyp 1N 5408

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Maße

Breite22,5 mm
Höhe75 mm
Tiefe55 mm

Umgebungsbedingungen

Umgebungstemperatur (Betrieb)-20 °C ... 50 °C
Umgebungstemperatur (Lagerung/Transport)-40 °C ... 70 °C

Allgemein

Diodentyp1 N 5408
Max. Betriebsspannung250 V AC
Spitzensperrspannung je Diode1000 V
Sperrstrom je Diode10 µA
Durchlassspannung je Diodeca. 0,8 V
Durchlassstrom je Diode1,5 A (bei Einzelbelastung)
1 A (bei gleichzeitiger Belastung)
ÜberspannungskategorieIII, Basisisolierung (nach EN 50178)
Einbaulagebeliebig
Montagehinweisanreihbar ohne Abstand

Anschlussdaten

Leiterquerschnitt starr min0,2 mm²
Leiterquerschnitt starr max4 mm²
Leiterquerschnitt flexibel min.0,2 mm²
Leiterquerschnitt flexibel max.2,5 mm²
Leiterquerschnitt AWG min24
Leiterquerschnitt AWG max12
Abisolierlänge8 mm
SchraubengewindeM3
AnschlussartSchraubanschluss

Datasheet - PDF

Title:Language:Size:Type:
PHOENIX CONTACT-2952790-EMG 22-DIO 4E-1N5408English102 KbytesPHOENIX CONTACT-2952790-EMG 22-DIO 4E-1N5408

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